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El fabricante austriaco de equipos de producción de semiconductores Grupo EV (EVG) y el Instituto Fraunhofer para Sistemas de Energía Solar (Fraunhofer ISE) han anunciado un nuevo récord de eficiencia de las células solares multiunión de silicio del 31,3%,  mejorando así su récord anterior del 30,2%, que fue anunciado en noviembre pasado .

Los científicos han utilizado un proceso de unión de obleas directo para transferir unos pocos micrómetros de material semiconductor III-V a silicio. A través de este proceso, que se implementa después de la activación de plasma, las superficies subcelulares están atadas juntas en vacío mediante la aplicación de presión. Como resultado, Fraunhofer ISE explica que los átomos en la superficie de los enlaces de formulario subcélula III-V con los átomos de silicio crean un dispositivo monolítico.

La célula consta de una secuencia de tres subcélulas hecha de fosfuro de galio-indio (GaInP), arseniuro de galio (GaAs) y silicio (Si), que están apiladas juntas y abarcan el intervalo de absorción del espectro del sol. Las capas III-V se depositan epitaxialmente sobre un substrato de GaAs y luego unidas a una estructura de célula solar de silicio.

Aunque es extremadamente compleja en su funcionamiento interno, la célula tiene un aspecto externo común. Esto, afirman los investigadores, nos hace abrigar la esperanza de que pronto pueda ser integrada en un módulo fotovoltaico estándar mediante el contacto posterior que se puede ver en cualquier célula solar de silicio.

A principios de 2016, investigadores de la Universidad de Nueva Gales del Sur en Australia lograron alcanzar una eficiencia de conversión del 34,5% utilizando un mini módulo de 28 cm2 de cuatro uniones que utiliza un receptor de cruce híbrido para maximizar la cantidad de electricidad extraída de la luz del sol, un resultado que desafió las percepciones sobre los límites de la eficacia teórica en la energía solar.

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